Filtering study of threading dislocations in AlN buffered MBE GaN/sapphire using single and multiple high temperature AlN intermediate layers

  1. Ponce, A.
  2. Sánchez, A.M.
  3. Molina, S.I.
  4. Fedler, F.
  5. Stemmer, J.
  6. Graul, J.
Zeitschrift:
Physica Status Solidi (A) Applied Research

ISSN: 0031-8965

Datum der Publikation: 2002

Ausgabe: 192

Nummer: 2

Seiten: 424-429

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1002/1521-396X(200208)192:2<424::AID-PSSA424>3.0.CO;2-Q GOOGLE SCHOLAR