Structural characterization of high temperature AlN intermediate layer in GaN grown by molecular beam epitaxy

  1. Sanchez, A.M.
  2. Pacheco, F.J.
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  4. Stemmer, J.
  5. Aderhold, J.
  6. Graul, J.
Zeitschrift:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 80

Nummer: 1-3

Seiten: 299-303

Art: Artikel

DOI: 10.1016/S0921-5107(00)00645-0 GOOGLE SCHOLAR
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