Raman studies of Ge-promoted stress modulation in 3C-SiC grown on Si(111)

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  7. Pezoldt, J.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2005

Volumen: 87

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1999858 GOOGLE SCHOLAR
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