Strain-free ultrathin AlN epilayers grown directly on sapphire by high-temperature molecular beam epitaxy
- Laleyan, D.A.
- Fernández-Delgado, N.
- Reid, E.T.
- Wang, P.
- Pandey, A.
- Botton, G.A.
- Mi, Z.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters
ISSN: 0003-6951
Datum der Publikation: 2020
Ausgabe: 116
Nummer: 15
Art: Artikel