A mechanism for damage formation in GaN during rare earth ion implantation at medium range energy and room temperature
- Ruterana, P.
- Lacroix, B.
- Lorenz, K.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 2011
Ausgabe: 109
Nummer: 1
Art: Artikel