Low-Temperature Growth of Axial Si/Ge Nanowire Heterostructures Enabled by Trisilane

  1. Hui, H.Y.
  2. De La Mata, M.
  3. Arbiol, J.
  4. Filler, M.A.
Revista:
Chemistry of Materials

ISSN: 1520-5002,  0897-4756

Any de publicació: 2017

Volum: 29

Número: 8

Pàgines: 3397-3402

Tipus: Article

DOI: 10.1021/ACS.CHEMMATER.6B03952 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus