Electrical characterization of phosphorus-doped n-type homoepitaxial diamond layers

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Revista:
Diamond and Related Materials

ISSN: 0925-9635

Año de publicación: 2004

Volumen: 13

Número: 11-12

Páginas: 2037-2040

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/J.DIAMOND.2004.06.022 GOOGLE SCHOLAR