Electrical characterization of phosphorus-doped n-type homoepitaxial diamond layers by Schottky barrier diodes

  1. Suzuki, M.
  2. Yoshida, H.
  3. Sakuma, N.
  4. Ono, T.
  5. Sakai, T.
  6. Koizumi, S.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2004

Volumen: 84

Número: 13

Páginas: 2349-2351

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1695206 GOOGLE SCHOLAR
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