Doping characteristics and electrical properties of Mg-doped AlGaN grown by atmospheric-pressure MOCVD

  1. Suzuki, M.
  2. Nishio, J.
  3. Onomura, M.
  4. Hongo, C.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 1998

Volumen: 189-190

Páginas: 511-515

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0022-0248(98)00341-8 GOOGLE SCHOLAR