Effects of substrate misorientation on doping characteristics and band gap energy for InGaAlP crystals grown by metalorganic chemical vapor deposition

  1. Suzuki, M.
  2. Nishikawa, Y.
  3. Ishikawa, M.
  4. Kokubun, Y.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Any de publicació: 1991

Volum: 113

Número: 1-2

Pàgines: 127-130

Tipus: Article

DOI: 10.1016/0022-0248(91)90017-Y GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus