Effect of the temperature ramp rate during carbonization of Si (111) on the crystalline quality of SiC produced

  1. Pacheco, FJ
  2. Sanchez, AM
  3. Molina, SI
  4. Araujo, D
  5. Garcia, R
  6. Steckl, AJ
Colección de libros:
MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1999, PROCEEDINGS
  1. Cullis, AG (coord.)
  2. Beanland, R (coord.)

ISSN: 0951-3248

ISBN: 0-7503-0650-5

Año de publicación: 1999

Páginas: 521-524

Congreso: Conference on Microscopy of Semiconducting Materials

Tipo: Aportación congreso

GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: WoS