Correlation between the AlN buffer layer thickness and the GaN polarity in GaN/AlN/Si(111) grown by MBE

  1. Sanchez, AM
  2. Ruterana, P
  3. Vennegues, P
  4. Semond, F
  5. Pacheco, FJ
  6. Molina, SI
  7. Garcia, R
  8. Sanchez-Garcia, MA
  9. Calleja, E
Colección de libros:
GAN AND RELATED ALLOYS-2002
  1. Wetzel, C (coord.)
  2. Yu, ET (coord.)
  3. Speck, JS (coord.)
  4. Arakawa, Y (coord.)

ISSN: 0272-9172

ISBN: 1-55899-680-X

Año de publicación: 2003

Volumen: 743

Páginas: 157-162

Congreso: Symposium on GaN and Related Alloys held at the 2002 MRS Fall Meeting

Tipo: Aportación congreso

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Fuente de los datos: WoS