Forschungsprojekt
MAT2001-3362
Ingeniería de aleaciones semiconductoras INGAAS(N) para aplicaciones en optoelectrónica.
date_range
Dauer von 28 von Dezember von 2001 bis 27 von Dezember von 2004
(36 Monate)
Fertig
Bekanntmachung:
Programa General. Plan Nacional I+D+i