Projecte d'investigació
TEC2017-86347-C2-1-R
ARCHITECTURA 3D DE MOSFET ELABORADAS IN-SITU POR MPCVD PARA ELECTRÓNICA DEPOTENCIA.
date_range
Duració del 01 de de gener de 2018 al 30 de de setembre de 2021
(45 mesos)
Convocatòria:
6794
Retos de la Sociedad. Plan Nacional I+D+i
Investigadors/es
DANIEL
ARAUJO GAY
Responsable
MARIA DEL PILAR
VILLAR CASTRO
Corresponsable