Uniform low-to-high in composition InGaN layers grown on Si

  1. Aseev, P.
  2. Rodriguez, P.E.D.S.
  3. Kumar, P.
  4. Gómez, V.J.
  5. Alvi, N.U.H.
  6. Mánuel, J.M.
  7. Morales, F.M.
  8. Jiménez, J.J.
  9. García, R.
  10. Calleja, E.
  11. Nötzel, R.
Revista:
Applied Physics Express

ISSN: 1882-0778 1882-0786

Año de publicación: 2013

Volumen: 6

Número: 11

Tipo: Artículo

DOI: 10.7567/APEX.6.115503 GOOGLE SCHOLAR