Improved structural and chemical properties of nearly lattice-matched ternary and quaternary barriers for GaN-based HEMTs

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  7. Ambacher, O.
Zeitschrift:
Crystal Growth and Design

ISSN: 1528-7483,  1528-7505

Datum der Publikation: 2011

Ausgabe: 11

Nummer: 6

Seiten: 2588-2591

Art: Artikel

DOI: 10.1021/CG200341Z GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus