An approach to the formation mechanism of the composition fluctuation in GaInNAs quantum wells

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 2005

Volumen: 20

Número: 10

Páginas: 1096-1102

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/20/10/019 GOOGLE SCHOLAR
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