Influence of interface dislocations on surface kinetics during epitaxial growth of InGaAs

  1. Álvarez, A.L.
  2. Calle, F.
  3. Valtueña, J.F.
  4. Faura, J.
  5. Sánchez, M.A.
  6. Calleja, E.
  7. Muñoz, E.
  8. Morante, J.R.
  9. González, D.
  10. Araujo, D.
  11. García Roja, R.
Revista:
Applied Surface Science

ISSN: 0169-4332

Any de publicació: 1998

Volum: 123-124

Pàgines: 303-307

Tipus: Article

DOI: 10.1016/S0169-4332(97)00483-2 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus