Influence of interface dislocations on surface kinetics during epitaxial growth of InGaAs

  1. Álvarez, A.L.
  2. Calle, F.
  3. Valtueña, J.F.
  4. Faura, J.
  5. Sánchez, M.A.
  6. Calleja, E.
  7. Muñoz, E.
  8. Morante, J.R.
  9. González, D.
  10. Araujo, D.
  11. García Roja, R.
Revista:
Applied Surface Science

ISSN: 0169-4332

Ano de publicación: 1998

Volume: 123-124

Páxinas: 303-307

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/S0169-4332(97)00483-2 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus