Dislocation behavior in InGaAs step- and alternating step-graded structures: Design rules for buffer fabrication

  1. Araújo, D.
  2. González, D.
  3. García, R.
  4. Sacedón, A.
  5. Calleja, E.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Any de publicació: 1995

Volum: 67

Pàgines: 3632

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.115341 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus