Dislocation behavior in InGaAs step- and alternating step-graded structures: Design rules for buffer fabrication

  1. Araújo, D.
  2. González, D.
  3. García, R.
  4. Sacedón, A.
  5. Calleja, E.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 1995

Ausgabe: 67

Seiten: 3632

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.115341 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus