Self-interstitial mechanism for Zn diffusion-induced disordering of GaAs/AlxGa1-xAs (x=0.1-1) multiple-quantum-well structures

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1993

Volumen: 73

Número: 8

Páginas: 3769-3781

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.352883 GOOGLE SCHOLAR
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