Quantitative analysis of the interplay between InAs quantum dots and wetting layer during the GaAs capping process

  1. González, D.
  2. Braza, V.
  3. Utrilla, A.D.
  4. Gonzalo, A.
  5. Reyes, D.F.
  6. Ben, T.
  7. Guzman, A.
  8. Hierro, A.
  9. Ulloa, J.M.
Zeitschrift:
Nanotechnology

ISSN: 1361-6528 0957-4484

Datum der Publikation: 2017

Ausgabe: 28

Nummer: 42

Art: Artikel

DOI: 10.1088/1361-6528/AA83E2 GOOGLE SCHOLAR