Sb and N Incorporation Interplay in GaAsSbN/GaAs Epilayers near Lattice-Matching Condition for 1.0–1.16-eV Photonic Applications

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Revista:
Nanoscale Research Letters

ISSN: 1556-276X,  1931-7573

Año de publicación: 2017

Volumen: 12

Tipo: Artículo

DOI: 10.1186/S11671-017-2129-2 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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