(S)TEM Analysis of the Strain and Morphology of InAs Quantum Dots using GaAs(Sb)(N) Capping Layers for Solar Cell Applications

  1. Reyes, D.F.
  2. Utrilla, A.D.
  3. Ben, T.
  4. Saborido, J.J.
  5. Ulloa, J.M.
  6. Bárcena-Gonzálz, G.
  7. GuerreroLebrero, M.P.
  8. Guerrero, E.
  9. Gonzalez, D.
Revista:
Microscopy and Microanalysis

ISSN: 1435-8115,  1431-9276

Any de publicació: 2016

Volum: 22

Pàgines: 46-47

Tipus: Nota

DOI: 10.1017/S1431927616000428 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor
Font de les dades: Scopus