Independent tuning of electron and hole confinement in InAs/GaAs quantum dots through a thin GaAsSbN capping layer
- Ulloa, J.M.
- Reyes, D.F.
- Montes, M.
- Yamamoto, K.
- Sales, D.L.
- González, D.
- Guzman, A.
- Hierro, A.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters
ISSN: 0003-6951
Datum der Publikation: 2012
Ausgabe: 100
Nummer: 1
Art: Artikel