Structural characterization of high temperature AlN intermediate layer in GaN grown by molecular beam epitaxy

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Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Año de publicación: 2001

Volumen: 80

Número: 1-3

Páginas: 299-303

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0921-5107(00)00645-0 GOOGLE SCHOLAR
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