Critical thickness of high-temperature AIN interlayers in GaN on sapphire (0001)

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Zeitschrift:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 30

Nummer: 5

Seiten: L17-L20

Art: Brief

DOI: 10.1007/S11664-001-0098-8 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus