Doping efficiency and segregation of Si in AlN grown by molecular beam epitaxy

  1. Lebedev, V.
  2. Morales, F.M.
  3. Romanus, H.
  4. Ecke, G.
  5. Cimalla, V.
  6. Himmerlich, M.
  7. Krischok, S.
  8. Schaefer, J.A.
  9. Ambacher, O.
Zeitschrift:
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

ISSN: 1862-6351

Datum der Publikation: 2006

Ausgabe: 3

Seiten: 1420-1424

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1002/PSSC.200565178 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus