Strain-free ultrathin AlN epilayers grown directly on sapphire by high-temperature molecular beam epitaxy

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Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2020

Volumen: 116

Número: 15

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.5144838 GOOGLE SCHOLAR
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