A mechanism for damage formation in GaN during rare earth ion implantation at medium range energy and room temperature
- Ruterana, P.
- Lacroix, B.
- Lorenz, K.
Revista:
Journal of Applied Physics
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2011
Volumen: 109
Número: 1
Tipo: Artículo