Characteristics of Mg-doped GaN and AlGaN grown by H2-ambient and N2-ambient metalorganic chemical vapor deposition

  1. Sugiura, L.
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Revista:
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

ISSN: 0021-4922

Año de publicación: 1998

Volumen: 37

Número: 7

Páginas: 3878-3881

Tipo: Artículo

DOI: 10.1143/JJAP.37.3878 GOOGLE SCHOLAR
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