High quality SiO2/diamond interface in O-terminated p-type diamond MOS capacitors

  1. Cañas, J.
  2. Dussarrat, C.
  3. Teramoto, T.
  4. Masante, C.
  5. Gutierrez, M.
  6. Gheeraert, E.
Aldizkaria:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Argitalpen urtea: 2022

Alea: 121

Zenbakia: 7

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/5.0103037 GOOGLE SCHOLAR lock_openSarbide irekia editor
Datuen iturria: Scopus