Projecte d'investigació
MAT98-0823-C03-02
Transistores de Gan para microondas: SI carburizado (SIC) como sustrato y relación estructura de defectos /propiedades optomicroelectrónicas mediante TEM-CL/EBIC.
date_range
Duració del 01 de de desembre de 1998 al 30 de de novembre de 2001
(36 mesos)
Convocatòria:
2356
Programa General. Plan Nacional I+D+i
Investigadors/es
SERGIO IGNACIO
MOLINA RUBIO
Responsable