Research project
MAT98-0823-C03-02
Transistores de Gan para microondas: SI carburizado (SIC) como sustrato y relación estructura de defectos /propiedades optomicroelectrónicas mediante TEM-CL/EBIC.
date_range
Duration: from 01 December 1998 to 30 November 2001
(36 months)
Call:
2356
Programa General. Plan Nacional I+D+i
