Projet de recherche
MAT98-0823-C03-02
Transistores de Gan para microondas: SI carburizado (SIC) como sustrato y relación estructura de defectos /propiedades optomicroelectrónicas mediante TEM-CL/EBIC.
date_range
Durée de 01 décembre 1998 à 30 novembre 2001
(36 mois)
Annonce:
2356
Programa General. Plan Nacional I+D+i
Chercheurs
SERGIO IGNACIO
MOLINA RUBIO
Responsable
