Instituto de Microscopía Electrónica y Materiales (IMEYMAT)
Instituto de investigación
Paul Sabatier University
Tolosa, FranciaPublicaciones en colaboración con investigadores/as de Paul Sabatier University (2)
2018
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Impact of Nonhomoepitaxial Defects in Depleted Diamond MOS Capacitors
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, Núm. 5, pp. 1830-1837
2011
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Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of SiO2/GaN interfaces
Journal of Applied Physics, Vol. 109, Núm. 8