Improved structural and chemical properties of nearly lattice-matched ternary and quaternary barriers for GaN-based HEMTs

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Revista:
Crystal Growth and Design

ISSN: 1528-7483 1528-7505

Año de publicación: 2011

Volumen: 11

Número: 6

Páginas: 2588-2591

Tipo: Artículo

DOI: 10.1021/CG200341Z GOOGLE SCHOLAR