Microstructural improvements of InP on GaAs (001) grown by molecular beam epitaxy by in situ hydrogenation and postgrowth annealing

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  6. Fonstad, C.G.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2009

Volumen: 94

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.3077610 GOOGLE SCHOLAR