Relaxation mechanism of InGaAs single and graded layers grown on (111)B GaAs

  1. Rojas, T.C.
  2. Molina, S.I.
  3. Sacedón, A.
  4. Valtueña, F.
  5. Calleja, E.
  6. García, R.
Revista:
Thin Solid Films

ISSN: 0040-6090

Any de publicació: 1998

Volum: 317

Número: 1-2

Pàgines: 270-273

Tipus: Article

DOI: 10.1016/S0040-6090(97)00527-0 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus