Relaxation mechanism of InGaAs single and graded layers grown on (111)B GaAs

  1. Rojas, T.C.
  2. Molina, S.I.
  3. Sacedón, A.
  4. Valtueña, F.
  5. Calleja, E.
  6. García, R.
Aldizkaria:
Thin Solid Films

ISSN: 0040-6090

Argitalpen urtea: 1998

Alea: 317

Zenbakia: 1-2

Orrialdeak: 270-273

Mota: Artikulua

DOI: 10.1016/S0040-6090(97)00527-0 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus