Relaxation mechanism of InGaAs single and graded layers grown on (111)B GaAs

  1. Rojas, T.C.
  2. Molina, S.I.
  3. Sacedón, A.
  4. Valtueña, F.
  5. Calleja, E.
  6. García, R.
Revista:
Thin Solid Films

ISSN: 0040-6090

Ano de publicación: 1998

Volume: 317

Número: 1-2

Páxinas: 270-273

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/S0040-6090(97)00527-0 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus