Influence of interface dislocations on surface kinetics during epitaxial growth of InGaAs

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Revista:
Applied Surface Science

ISSN: 0169-4332

Año de publicación: 1998

Volumen: 123-124

Páginas: 303-307

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0169-4332(97)00483-2 GOOGLE SCHOLAR
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