Analysis by HR-STEM of the Strain Generation in InP after SiN x Deposition and ICP Etching

  1. Gutiérrez, M.
  2. Reyes, D.F.
  3. Araujo, D.
  4. Landesman, J.P.
  5. Pargon, E.
Zeitschrift:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 1543-186X,  0361-5235

Datum der Publikation: 2020

Ausgabe: 49

Nummer: 9

Seiten: 5226-5231

Art: Artikel

DOI: 10.1007/S11664-020-08312-6 GOOGLE SCHOLAR
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