Critical boron-doping levels for generation of dislocations in synthetic diamond

  1. Alegre, M.P.
  2. Araújo, D.
  3. Fiori, A.
  4. Pinero, J.C.
  5. Lloret, F.
  6. Villar, M.P.
  7. Achatz, P.
  8. Chicot, G.
  9. Bustarret, E.
  10. Jomard, F.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2014

Volumen: 105

Número: 17

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4900741 GOOGLE SCHOLAR