Critical thickness of high-temperature AIN interlayers in GaN on sapphire (0001)

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Revista:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Año de publicación: 2001

Volumen: 30

Número: 5

Páginas: L17-L20

Tipo: Carta

DOI: 10.1007/S11664-001-0098-8 GOOGLE SCHOLAR
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