Doping efficiency and segregation of Si in AlN grown by molecular beam epitaxy

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Revista:
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

ISSN: 1862-6351

Año de publicación: 2006

Volumen: 3

Páginas: 1420-1424

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1002/PSSC.200565178 GOOGLE SCHOLAR
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