Dislocation generation mechanisms in heavily boron-doped diamond epilayers

  1. Araujo, D.
  2. Lloret, F.
  3. Alba, G.
  4. Alegre, M.P.
  5. Villar, M.P.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2021

Volumen: 118

Número: 5

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/5.0031476 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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