Dislocation generation mechanisms in heavily boron-doped diamond epilayers

  1. Araujo, D.
  2. Lloret, F.
  3. Alba, G.
  4. Alegre, M.P.
  5. Villar, M.P.
Aldizkaria:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Argitalpen urtea: 2021

Alea: 118

Zenbakia: 5

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/5.0031476 GOOGLE SCHOLAR lock_openSarbide irekia editor
Datuen iturria: Scopus