Effects of residual impurities on Zn electrical activity in Zn-doped InGaAlP grown by metalorganic chemical vapor deposition

  1. Nishikawa, Y.
  2. Suzuki, M.
  3. Ishikawa, M.
  4. Kokubun, Y.
  5. Hatakoshi, G.-i.
Zeitschrift:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Datum der Publikation: 1992

Ausgabe: 123

Nummer: 1-2

Seiten: 181-187

Art: Artikel

DOI: 10.1016/0022-0248(92)90022-B GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus